[发明专利]固态摄像元件、制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201410675351.2 | 申请日: | 2014-11-21 |
公开(公告)号: | CN104681573B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 久保井信行 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种固态摄像元件、制造方法以及电子设备。该固态摄像元件包括:半导体基板,其中多个光电二极管以平面布置;分离部,其用于分离所述光电二极管,其中,所述分离部具有通过将具有高光吸收系数和高量子效率的材料填充至形成于所述半导体基板中的沟槽中而形成的光电转换部。本发明能够获取具有更好图像质量的图像。 | ||
搜索关键词: | 固态摄像元件 半导体基板 光电二极管 电子设备 分离部 图像 高量子效率 光电转换部 材料填充 平面布置 吸收系数 高光 制造 | ||
【主权项】:
1.一种固态摄像元件,其包括:半导体基板,其中多个光电二极管以平面布置;和分离部,其用于分离所述光电二极管,其中,所述分离部具有通过将具有黄铜矿结构的化合物半导体或III‑V族化合物半导体填充至形成于所述半导体基板中的沟槽中而形成的光电转换部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的