[发明专利]DRAM中子单粒子效应试验控制方法与装置

摘要

本发明涉及DRAM中子单粒子效应试验控制方法，包括：S1：对器件的多个控制参数进行设置与计算；S2：在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制。本发明明确规定了试验应当控制的参数条件以及约束各参数的控制方法，优化并提出了完整的试验过程控制理论方法，保证了试验结果的正确性，也为保证航空/航天系统在空间环境中系统可靠性研究奠定了基础。本发明还公开了DRAM中子单粒子效应试验控制装置。

主权项

1.DRAM中子单粒子效应试验控制方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1：对器件的多个控制参数进行设置与计算；S2：在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制；其中，所述多个控制参数包括：错误数观测值N、未防护位B、注量率F、器件敏感功能块数i、错误类型数j、试验截止检测错误数Nend以及截止注量Fend；其中，所述错误数观测值N由如下公式计算获得：N＝N0*[错误传递率/(软件用例覆盖率*软件用例测试覆盖率)]，其中，N0为初始错误数观测值，所述错误传递率、软件用例覆盖率以及软件用例测试覆盖率均为试验联调联试时的获取值；所述未防护位B由如下公式计算获得：B＝B0*资源利用率*未防护率，其中，B0为真实的配置工作位数，所述资源利用率以及未防护率均为试验联调联试时的获取值；所述注量率F由如下公式计算获得：其中，F为试验器件接收到的中子累积注量，单位为n/cm2；Netarea为监测到的靶源产生的α粒子数；R为试验器件到靶源的距离，单位为cm；所述器件敏感功能块数i和所述错误类型数j取值如下：i＝1，j＝1；所述试验截止检测错误数Nend以及截止注量Fend的获取具体为：首先，在器件不可重复抽样的情况下，显著水平α＝0.05，置信度CL＝1‑α时，根据置信区间的定义，建立计算模型：再次，将及代入建立计算模型进行整理，得到公式：最终，根据预设表中不同精度的对应值获取所述截止检测错误数Nend以及截止注量Fend。