[发明专利]二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201410678521.2 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104475116A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王小亮;王庆国;王平平;曲兆明;白丽云 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军军械工程学院 |
| 主分类号： | B01J23/835 | 分类号： | B01J23/835;B82Y30/00;B82Y40/00;A62D3/17;A62D101/26;A62D101/28 |
| 代理公司： | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人： | 徐瑞丰;董金国 |
| 地址： | 050003 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法，属于纳米材料的制备方法，步骤：（1）清洗基底材料表面并晾干，将基底材料加入水热反应釜中的混合溶液A中，在100~120℃下反应8~12h，形成针铁矿纳米棒阵列；（2）将表面生长有针铁矿纳米棒阵列的基底材料取出用去离子水清洗后移到箱式电阻炉中，在400~450℃下保温1~2h，形成排列有序的三氧化二铁纳米棒阵列；（3）将表面生长有三氧化二铁纳米棒阵列的基底材料放入到放入水热反应釜中的混合溶液B中，在200~220℃下反应1~3h，取出反应后的基底材料清洗并干燥，得到二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列。本发明操作简单，催化剂易于回收，产率较高且因环境友好而应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 修饰 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：将清洗基底材料去除其表面的有机物并晾干，配制含有0.05~0.1 mol/L三氯化铁以及0.05~0.1 mol/L硫酸钠的混合溶液A，将所述混合溶液A加入到水热反应釜中，而后将所述基底材料加入到水热反应釜中的混合溶液A中，在100~120℃下反应8~12小时，即可在所述基底材料表面形成一层排列有序的针铁矿（α‑FeOOH）纳米棒阵列；步骤2：将在步骤1得到的表面生长有针铁矿（α‑FeOOH）纳米棒阵列的所述基底材料取出用去离子水清洗后移到箱式电阻炉中，在400~450℃下保温1~2小时，即可在基底材料表面形成一层排列有序的三氧化二铁（α‑Fe2O3）纳米棒阵列；步骤3：将在步骤2得到的表面生长有三氧化二铁（α‑Fe2O3）纳米棒阵列的基底材料放入到含有0.01~0.02 M四氯化锡以及0.25~0.5 M氢氧化钠的混合溶液B中，将放置有三氧化二铁（α‑Fe2O3）纳米棒阵列的所述混合溶液B加入到水热反应釜中，在200~220℃下反应1~3小时，取出反应后的基底材料清洗并干燥，即可在基底材料表面得到二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁（SnO2/α‑Fe2O3）纳米棒阵列。
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