[发明专利]一种硅基薄膜叠层太阳电池隧穿反射层的制备方法

摘要

本发明属于高效硅基薄膜太阳电池领域，具体为一种硅基薄膜叠层太阳电池隧穿反射层的制备方法。本发明采用已制备好的子电池基底，对其进行清洗处理；首先，以高纯石英靶为靶材，溅射一层硅氧薄膜；然后抽真空除氧，以金属铝靶为靶材，继续在硅氧薄膜层上溅射一层铝膜；接着以高纯石英靶为靶材，继续在金属铝膜上溅射一层硅氧薄膜；最后，将制备好的薄膜放入快速退火炉中退火。这种方法将在叠层电池的子电池之间制备一层既具有选择性反射作用，又具有高缺陷态密度的隧穿反射层，此层薄膜兼具了中间层的光学优点和隧道结的电学性能，具有宽带隙、高电导率、低折射率、高缺陷态密度等特点，能有效地提高硅基薄膜叠层太阳电池的转换效率和稳定性。

主权项

一种硅基薄膜叠层太阳电池隧穿反射层的制备方法，其特征是：“采用已制备好的子电池基底，对其进行清洗处理；以高纯石英靶为靶材，用射频电源溅射一层硅氧薄膜；抽真空除氧后，以金属铝靶为靶材，在硅氧薄膜层上溅射一层铝膜；以高纯石英靶为靶材，再在金属铝膜上溅射一层硅氧薄膜；将制备好的薄膜放入快速退火炉中退火”。