[发明专利]一种箭叶淫羊藿越冬芽快速繁殖方法有效

专利信息
申请号: 201410682416.6 申请日: 2014-11-24
公开(公告)号: CN104472355A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 王瑛;吕海燕;黄文俊 申请(专利权)人: 中国科学院武汉植物园
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 武汉宇晨专利事务所 42001 代理人: 王敏锋
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种箭叶淫羊藿越冬芽快速繁殖方法,本方法以箭叶淫羊藿越冬芽为外植体,消毒后进行组织培养,诱导分化,生根繁殖。愈伤组织分化出芽的分化率高达88.9%,且后期的增殖培养不需要更换培养基,增殖系数可达5.3。本发明操作简单,繁殖率高,生产成本低,繁殖周期短,适宜于工厂生产应用。
搜索关键词: 一种 淫羊藿 越冬 快速 繁殖 方法
【主权项】:
一种箭叶淫羊藿越冬芽快速繁殖方法,包括以下步骤:1)外植体消毒:取淫羊藿当年秋季形成的分蘖芽即越冬芽;2)愈伤组织诱导:芽体消毒后,切去外层苞片,内部初始分化的芽体切成0.5cm×0.5cm小块,置于愈伤组织诱导培养基上,愈伤组织诱导培养基配方为:MS+2.0 mg/L BA+4.0 mg/L 2,4‑D+1.0 mg/L IBA+3%蔗糖+0.8%琼脂,pH值调至6.0;1500~2500lux光照强度下,14h/天的光照进行培养,培养温度24~26℃;20天更换新培养基,培养基保持原配方不变,形成愈伤组织;芽的再生培养:将愈伤组织置于芽分化培养基:MS+1.0 mg/L BA+1.0 mg/L IBA+3%蔗糖+0.8%琼脂,pH值调至6.0,进行芽的再生培养;1500~2500lux光照强度下,14h/天的光照进行培养,培养温度24~26℃,再生出芽;4)芽的增殖培养:将再生的高2‑3cm的植株单棵切下,置于芽的分化培养基MS+1.0 mg/L BA+1.0 mg/L IBA+3%蔗糖+0.8%琼脂的培养基上进行芽增殖培养,pH值调至6.0;1500~2500lux光照强度下,14h/天的光照进行培养,培养温度24~26℃,形成丛生芽;5)生根培养:切取丛生芽单个芽体,芽体高2‑3cm,置于生根培养基中进行生根培养,生根培养基配方为:MS+0.5g/L 活性炭+3%蔗糖+0.8%琼脂,培养基pH值调至6.0;1500~2500lux光照强度下,14h/天的光照进行培养,培养温度24~26℃,形成白色须根。
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