[发明专利]硅通孔结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410683126.3 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104377180B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王之奇;喻琼;杨莹;王蔚 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种硅通孔结构及其形成方法，硅通孔结构包括：衬底；位于所述衬底内的通孔；位于所述衬底内的缓冲开口，所述缓冲开口位于所述通孔顶部，所述缓冲开口的侧壁相对于衬底表面倾斜，且所述缓冲开口的顶部尺寸大于底部尺寸；位于所述缓冲开口侧壁表面、以及所述通孔的侧壁和底部表面的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层表面的导电层。所述硅通孔结构的性能改善、可靠性增强。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅通孔结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的一表面形成有焊垫；在所述半导体基底内形成通孔和缓冲开口，所述通孔的底部暴露出所述焊垫的上表面，所述缓冲开口位于所述通孔顶部，所述缓冲开口的侧壁相对于衬底表面倾斜，且所述缓冲开口的顶部尺寸大于底部尺寸，从而避免应力在半导体基底表面和通孔侧壁之间发生累积；在所述缓冲开口侧壁表面、以及所述通孔的侧壁表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面以及暴露出的焊垫上表面形成导电层。
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