[发明专利]一种金属离子掺杂的{001}面暴露的TiO2纳米片的制备方法在审
| 申请号： | 201410683243.X | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465101A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 匡代彬;陈白雪;万泉;李龙斌;郭新东 | 申请（专利权）人： | 中山大学;广州质量监督检测研究院 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;C01G23/08;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于二氧化钛纳米材料的制备领域，具体涉及一种金属离子掺杂的{001}面暴露的TiO2纳米片的制备方法，包括如下步骤：(1)常温下，在钛源中加入金属盐，充分搅拌得到混合溶液；(2)向上述混合溶液中加入氢氟酸，进行水热反应；(3)对产物进行分离、洗涤、干燥、即得到金属离子掺杂的{001}面暴露的TiO2纳米片，所述钛源为钛酸丁酯、钛酸乙酯或四异丙醇钛，所述金属盐为过渡金属、稀土金属和碱土金属的盐酸盐、硝酸盐、醋酸盐。本发明提供一种具有良好光电化学活性的金属离子掺杂的{001}面暴露的TiO2纳米片，方法简单、方便，重现性好，金属离子掺杂量可控，与未进行金属离子掺杂的{001}面暴露的TiO2纳米片相比有着更高的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 离子 掺杂 001 暴露 tio sub 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属离子掺杂的{001}面暴露的TiO2纳米片的制备方法，包括如下步骤：(1)常温下，在钛源中加入金属盐，充分搅拌得到混合溶液；(2)向上述混合溶液中加入氢氟酸，进行水热反应；(3)对产物进行分离、洗涤、干燥、即得到金属离子掺杂的{001}面暴露的TiO2纳米片。
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