[发明专利]双重图形化电学测试结构及监控方法有效
| 申请号： | 201410686757.0 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465621B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 卢意飞 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双重图形化电学测试结构及监控方法，其包括上金属层，下金属层，以及连接于所述上、下金属层的通孔结构；通孔结构位于上金属层和下金属层的重叠区域。上金属层和/或下金属层具有双重图形化拆分图形层，双重图形化拆分图形层具有拼接重叠区；拼接重叠区位于上金属层和下金属层的重叠区域中，且与通孔结构的顶部和/或底部相连接。对该组电学测试结构进行电学测试，可以得到对应通孔结构的电阻值，从而可以确定拼接重叠量的合理范围，该拼接重叠量的合理范围可以指导在双重图形化拆分过程中的拆分情况，使其建立更为合理的拆分规则，从而监控金属层双重图形化拆分过程中形成的拼接区对与之相连的通孔电阻的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 图形 电学 测试 结构 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种双重图形化电学测试结构，其特征在于，包括：上金属层，下金属层，以及连接于所述上、下金属层的通孔结构；所述通孔结构位于所述上金属层和所述下金属层的重叠区域；其中，所述上金属层和/或下金属层具有双重图形化拆分图形层，所述双重图形化拆分图形层具有拼接重叠区；所述拼接重叠区位于所述上金属层和所述下金属层的重叠区域中，且与所述通孔结构的顶部和/或底部相连接。
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