[发明专利]低导通电阻功率半导体组件有效
| 申请号： | 201410687912.0 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105702722B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 李柏贤;杨国良 | 申请（专利权）人： | 大中积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种低导通电阻功率半导体组件，包括一具有外延层的基板、一栅极结构、一终端结构及一图案化导电层，其中，该外延层具有一第一沟渠及一第二沟渠，该栅极结构设置于该第一沟渠并包括一栅极电极及一设置于该栅极电极之下方的遮蔽电极，该终端结构设置于该第二沟渠并包括一终端电极，该图案化导电层设置于该层间介电层上。本发明的特点在于，该遮蔽电极及该终端电极被设计为施加栅极电压，该图案化导电层设置于该外延层的上方，并借助一第一导电插塞及一第二导电插塞分别电接触该栅极结构的栅极电极及该终端结构的终端电极。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 功率 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1.一种低导通电阻功率半导体组件，其特征在于，包括：一基板，其上定义有一栅极导通区域；一外延层，设置于所述基板上，并具有至少一第一沟渠及至少一第二沟渠；一栅极结构，设置于所述第一沟渠内，其中，所述栅极结构包括一栅极电极、一设置于所述栅极电极的下方的遮蔽电极及一完全覆盖所述栅极电极及所述遮蔽电极的隔离介电质；一终端结构，设置于所述第二沟渠内，其中，所述终端结构包括一终端电极及一完全覆盖所述终端电极的隔离介电质；一基体区，形成于所述外延层中且环绕所述第一沟渠及所述第二沟渠；一层间介电层，设置于所述基体区上；以及一图案化导电层，设置于所述层间介电层上，其中，所述图案化导电层借助一第一导电插塞及一第二导电插塞分别电接触所述栅极结构的栅极电极及所述终端结构的终端电极；其中，所述栅极结构的遮蔽电极及所述终端结构的终端电极电连接一栅极电压。
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