[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410688132.8 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104681598B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 有金刚;冈田大介;久本大 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/11568;H01L29/792;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种特性得到改进的具有非易失性存储器的半导体器件。在半导体器件中，非易失性存储器在控制栅极电极部与存储器栅极电极部之间具有高k绝缘膜(高介电常数膜)，而外围电路区域的晶体管具有高k/金属构造。布置在控制栅极电极部与存储器栅极电极部之间的高k绝缘膜，缓和了在存储器栅极电极部的在控制栅极电极部之侧的端部(角部)处的电场强度。这使得减少了电荷在电荷积累部(氮化硅膜)中的不均匀分布，并且改进了擦除精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n半导体衬底；/n第一栅极电极，布置在所述半导体衬底之上；/n第二栅极电极，布置在所述半导体衬底之上以便与所述第一栅极电极相邻；/n第一绝缘膜，形成在所述第一栅极电极与所述半导体衬底之间；/n第二绝缘膜，形成为使得所述第二绝缘膜从所述第二栅极电极与所述半导体衬底之间延伸到所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间，所述第二绝缘膜具有电荷积累部；以及/n第三绝缘膜，形成为使得所述第三绝缘膜从所述第一栅极电极与所述第一绝缘膜之间延伸到所述第一栅极电极与所述第二绝缘膜之间，/n其中所述第三绝缘膜覆盖第二栅极电极侧的所述第一栅极电极的下部的角部，/n其中所述第一绝缘膜包括氧化硅膜，以及/n其中所述第三绝缘膜具有比氮化硅膜的介电常数更高的介电常数。/n
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