[发明专利]具有减小的通向电压的肖特基二极管在审
| 申请号： | 201410688269.3 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104681637A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | J.P.康拉特;R.鲁普;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有减小的通向电压的肖特基二极管。半导体器件，包括第一导电类型的半导体本体和在半导体本体处的金属层，其中金属层与半导体本体一起沿着接触面构成肖特基接触。第一导电类型的掺杂浓度在接触面处沿着接触面的方向变化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 通向 电压 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
半导体器件，包括：第一导电类型的半导体本体；在半导体本体处的金属层，其中金属层与半导体本体一起沿着接触面构成肖特基接触，其中在接触面处第一导电类型的掺杂浓度沿着接触面的方向变化。
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