[发明专利]一种低热导CuSbS2+X热电材料的制备方法有效
申请号: | 201410689801.3 | 申请日: | 2014-11-25 |
公开(公告)号: | CN104477991A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 张波萍;李和章;李少通;周楷;朱立峰;张代兵 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C01G30/00 | 分类号: | C01G30/00 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种低热导CuSbS2+x热电材料及制备方法,属于能源材料技术领域。本发明是将Cu、Sb和S按照化学量比CuSbS2+x配置,其中x取值范围为0≤x≤1。以Cu粉(质量百分比≥99.5%)、Cr粉(质量百分比≥99.5%)和S粉(质量百分比≥99.5%)作为原料,混合后放入行星式球磨机,在一定转速下干磨合成化合物粉体,然后加入一定量的无水乙醇进行湿磨,烘干后得到CuSbS2+x粉体,然后通过放电等离子烧结成块体。相比于其它中温区热电材料,CuSbS2+x具有较低的热导率,最低值为~0.05Wm-1K-1。该制备方法过程简便、易于操作,对设备和制备环境要求低,周期短、适合大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 低热 cusbs sub 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低热导CuSbS2+x热电材料的制备方法,其特征是:将Cu、Sb和S按照化学量比CuSbS2+x配置,其中x取值范围为0≤x≤1;通过机械合金法合成CuSbS2+x化合物前驱粉体,粉体晶粒尺寸为10~100nm;将前驱粉体经放电等离子烧结成块体,晶粒尺寸为0.2~2μm;300~500℃测试时,样品取得低热导率为0.05~0.3Wm‑1K‑1。
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