[发明专利]半导体芯片台面结构及其保护方法在审
| 申请号： | 201410690686.1 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105633125A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张弦;陈芳林;吴煜东;邱凯兵;颜骥;高建宁;王政英 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片台面结构及其保护方法，半导体芯片台面结构包括：覆盖在半导体芯片边缘表面的钝化层，钝化层为半导体芯片在经过类金刚石膜沉积处理后，放置于200℃至350℃的环境中，并且在惰性气体氛围下进行退火处理后生成。类金刚石膜沉积处理使用气态碳氢化合物或其与氢气的混合物作为原料，通过PECVD工艺生成富含H元素或H离子的类金刚石膜。H元素或H离子以非定型方式分布于类金刚石膜的C原子网络中。通过实施本发明台面结构及其保护方法，半导体芯片经过退火处理，能够有效减小半导体芯片边缘的表面漏电流、降低芯片的静态损耗，从而有效提升半导体器件的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 台面 结构 及其 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片台面结构，其特征在于，包括：覆盖在所述半导体芯片边缘表面的钝化层（4），所述钝化层（4）为所述半导体芯片在经过类金刚石膜沉积处理后，放置于200℃至350℃的环境中，并且在惰性气体氛围中进行退火处理后生成，以减小所述半导体芯片的漏电流。
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