[发明专利]一种自动检测晶片基底二维形貌的装置

摘要

本发明公开了一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置中，N束激光的多路出射光是由一个激光器经过一个包含多个分光面的分光棱镜，通过给所述多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过该分光棱镜后射出的多路出射光光强相同，即该多路光强相同的出射光不是由多个激光器发射得到的，而是仅仅由一个激光器经过该分光棱镜的反射、折射得到的，由此，在有限的布置空间内，可以选用体积稍大的激光器，当激光器体积增大后，其内部散热性能改善，并且，由于该激光器内增设了反馈电路，可以根据需要改变激光器的内部参数，因此，能够增强激光器的输出功率和波长的稳定性。

主权项

1.一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，包括第一运算模块、第二运算模块和分析模块，所述第一运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX，所述第二运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY，其中，N为3以上的自然数，所述N个光斑是由N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与所述入射光一一对应的PSD上形成的，所述分析模块根据各所述CX、CY的计算结果，得到基底的二维形貌；其特征在于，还包括N个PSD，N束激光和第一分光元件，所述N束激光沿直线排布，其中，所述N为3以上的自然数，所述N个PSD与N束激光一一对应，所述N束激光首先射向所述第一分光元件，经过所述第一分光元件后形成入射光，入射到晶片基底上，并在晶片基底上沿径向形成N个入射点，所述入射光被所述基底反射后形成N束第一种反射光束，所述各第一种反射光束经过所述第一分光元件后，入射到与所述N束激光相对应的PSD上，形成N个光斑；所述N束激光由一个多路激光发射装置发出；其中，x10，激光射到平面反射面后又反射到PSDA上形成的光斑的横坐标；x20，激光射到平面反射面后又反射到PSDB上形成的光斑的横坐标；x11，第一种反射光束经过第一分光元件透射后投射到PSDA上形成的光斑的横坐标；x21，第一种反射光束经过第一分光元件透射后投射到PSDB上形成的光斑的横坐标；dAB＝x20‑x10；y10，PSDA到基底的距离；y20，PSDB到晶片外延生长薄膜基底的距离；f，采样频率；RPM，承载基底的石墨盘每分钟转数；k，PSD1上光斑的纵坐标随时间变化按线性拟合的斜率；α，校准系数。