[发明专利]检测晶片基底二维形貌的装置有效
申请号: | 201410692862.5 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN105698705A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 刘健鹏;黄文勇;张瑭;张立芳 | 申请(专利权)人: | 北京智朗芯光科技有限公司 |
主分类号: | G01B11/245 | 分类号: | G01B11/245 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 102206 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置,属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌的装置包括具有与N束激光一一对应N个第一分光片和与N束激光一一对应的N个第二分光片,N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域,镀膜区域使各分光片形成不同的反射率和透过率,从而通过第一分光片和第二分光片可以入射到样品上后返回的N束光分成两个方向,分别进行探测,镀膜区域反射和透射的性质则根据个第一种反射光束的传播方向决定,而通过在分光片的不同区域镀不同性质的镀膜满足检测晶片基底二维形貌的装置对光路传播的要求,由于镀膜精度极高,因此,能够保证不同传播方向PSD接收到的光的一致性。 | ||
搜索关键词: | 检测 晶片 基底 二维 形貌 装置 | ||
【主权项】:
检测晶片基底二维形貌的装置,其特征在于,包括N个PSD,N束激光、与所述N束激光一一对应的N个第一分光片、与所述N束激光一一对应的N个第二分光片,所述N束激光沿直线排布,其中,所述N为3以上的自然数,所述N个PSD与N束激光一一对应,所述N个PSD分别布置在所述N束激光的左右两侧,包括左侧PSD和右侧PSD,每束激光经过第一分光片后入射到第二分光片,通过第二分光片后入射到晶片样品表面,晶片样品表面反射的N束反射光束包括第一方向光束和第二方向光束,第一方向光束通过第二分光片后,入射到第一分光片,经过所述第一分光片后,入射到所述右侧PSD上;所述第二方向光束通过第二分光片后入射到所述左侧PSD上;所述N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域,其中,对应于所述第一方向光束的区域,所述第一分光片能同时反射和透射所述激光;对应于所述第二方向光束的区域,所述第二分光片能同时反射和透射所述激光。
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