[发明专利]太阳能电池的制造工艺和太阳能电池的处理工艺有效
申请号: | 201410692886.0 | 申请日: | 2014-11-25 |
公开(公告)号: | CN104681663B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | P·恩格尔哈特;F·克斯滕 | 申请(专利权)人: | 韩华QCELLS有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张海文 |
地址: | 德国比特尔费*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池制造工艺和一个太阳能电池处理工艺。太阳能电池制造工艺过程包括一个退火处理过程,在退火处理过程中,基体(1)会经历一个退火温度曲线(51,52),在退火温度曲线(51,52)中,在至少3秒的退火时间内将温度保持在一个温度区间内,该温度区间的下限为大约400℃,上限为大约700℃。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 工艺 处理 | ||
【主权项】:
1.PERC结构太阳能电池制造工艺,其包括一退火处理步骤,其中基体(1)经历一退火温度曲线(52),在退火温度曲线(52)中,在至少3秒的退火时间内将温度保持在一个温度区间内,该温度区间的下限为大约400℃,上限为大约700℃;基体经历一烧结步骤,包括一烧结步骤的升温阶段和一烧结步骤的降温阶段,通过上述处理,在基体表面上涂覆的金属化浆料形成了一个金属化层,其中‑退火处理步骤集成在烧结步骤的降温阶段内,使在设置烧结步骤处理温度时,在烧结步骤温度变化曲线上设置一个平台期,以实现退火处理的步骤,当烧结处理的温度达到最高温度之后,保持该温度一段时间;其中退火处理步骤包括一降温阶段(52b),其中基体在退火处理过程中经历一退火温度曲线(52),在退火步骤的降温阶段(52b)最大斜率为100K/s、70K/s、50K/s或30K/s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的