[发明专利]上转换发光材料、其制备方法及应用

摘要

上转换发光材料、其制备方法及应用。本发明公开了一种上转换发光材料，其包含：至少一种稀土离子掺杂的氟化物纳米粒子；至少一种过渡金属离子掺杂的半导体金属氧化物纳米粒子；以及主要修饰于氟化物纳米粒子表面的至少一种聚合物，用作氟化物纳米粒子和半导体金属氧化物纳米粒子之间的连接介质。本发明还公开了所述上转换发光材料的制备方法。本发明的上转换发光材料兼具发光效率高、稳定性好、透光率高、电荷传输能力高等优点，可在有效提高有机光电转换器件在红外光区域光子利用率的同时，大幅提高器件界面的电荷传输，在各类有机光电转换器件中有广泛应用前景。

主权项

1.一种上转换发光材料，其特征在于包括：至少一种稀土离子掺杂的氟化物纳米粒子，至少一种过渡金属离子掺杂的半导体金属氧化物纳米粒子，至少一种聚合物，包覆于氟化物纳米粒子表面，并作为氟化物纳米粒子和半导体金属氧化物纳米粒子之间的连接介质；在所述稀土离子掺杂的氟化物纳米粒子中，稀土离子的总掺杂浓度为0.3‑30 mol%，且在掺杂的稀土离子中，吸光离子与发光中心离子的掺杂比为1：2～10；所述稀土离子掺杂的氟化物纳米粒子中所含的氟化物包括氟化钡、氟化锶、氟化钙、氟化钇、氟化钆、四氟化钇钠和四氟化钆钠中的任意一种或两种以上的组合，而掺杂的稀土离子包括稀土发光中心离子和吸光离子，其中发光中心离子包括 Er ³⁺、Yb³⁺、Tm ³⁺、Tb ³⁺、Pr ³⁺中的任一种，而吸光离子包括 Yb³⁺；所述过渡金属离子掺杂的半导体金属氧化物纳米粒子中所含金属氧化物包括氧化锌、氧化钛、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化镍中任一种或两种以上的组合，而掺杂的过渡金属离子包括 Ni²⁺、Cr ³⁺中的任意一种；所述聚合物采用聚乙烯吡烷酮。