[发明专利]形成图案的机制在审
| 申请号： | 201410693637.3 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104681410A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘如淦;林仲德;谢铭峰;高蔡胜;张世明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了在半导体器件中形成图案的方法。根据一些实施例，该方法包括提供衬底和位于衬底上方的图案化目标层；在图案化目标层上方形成一个或多个心轴图案；通过去除第一心轴图案以及去除光刻胶层的覆盖第一心轴图案的部分，在光刻胶层中形成开口；形成邻近第二心轴图案的侧壁的间隔件；去除第二心轴图案以暴露间隔件；在间隔件上方形成与开口对准的贴片图案；将贴片图案和间隔件用作掩模元件，蚀刻图案化目标层以形成最终图案；以及去除贴片图案和间隔件以暴露最终图案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 图案 机制 | ||
【主权项】：
一种在半导体器件中形成图案的方法，包括：提供衬底和位于所述衬底上方的图案化目标层；在所述图案化目标层上方形成一个或多个心轴图案；通过去除第一心轴图案以及光刻胶层的覆盖所述第一心轴图案的部分，在所述光刻胶层中形成开口；形成邻近第二心轴图案的侧壁的间隔件；去除所述第二心轴图案以暴露所述间隔件；在所述间隔件上方形成与所述开口对准的贴片图案；将所述贴片图案和所述间隔件用作掩模元件，蚀刻所述图案化目标层以形成最终图案；以及去除所述贴片图案和所述间隔件以暴露所述最终图案，其中，第一最终图案位于远离邻近的第二最终图案一定距离处，所述距离在从约(n+0.3)倍节距至约(n+0.8)倍节距的范围内，其中，n是整数，并且其中，所述节距是两个邻近的间隔件之间的距离加上间隔件的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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