[发明专利]MEMS硅膜的制造方法在审
| 申请号： | 201410693991.6 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105645348A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种MEMS硅膜的制造方法，采用二氧化硅层作为自停止层，干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的方法，可以制备出厚度和大小精确的硅膜，同时也大大减小了器件的大小。 | ||
| 搜索关键词： | mems 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS硅膜的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底和基片；在衬底正面淀积二氧化硅层；将衬底通过所述二氧化硅层和基片键合；对基片进行正面减薄；在衬底背面进行等离子体刻蚀以制作刻蚀区；对所述刻蚀区进行湿法刻蚀，并在二氧化硅层停止刻蚀，从而得到MEMS硅膜。
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