[发明专利]一种硅料清洗工艺及其设备

摘要

本发明公开了一种在清洗硅料时避免在硅料表面形成二氧化硅层的硅料清洗工艺及其设备。该硅料清洗工艺首先将需要清洗的硅料放入离心设备中；然后启动离心设备使硅料旋转，在硅料旋转的过程中，向离心设备内注入纯水对硅料进行清洗，清洗完毕后，停止向硅料喷洒纯水，调整离心设备的转速至305-330转/分钟进行甩干处理，在甩干过程中向硅料通入温度为60-120度的惰性气体，该清洗工艺利用惰性气体对硅料进行烘烤，在惰性气体的保护下，硅料不会与氧气接触，硅料表面不会形成二氧化硅层，进而在后续工艺中需要融化硅料时，可以很容易的将表面没有二氧化硅层硅料融化，降低了能耗。适合在太阳能电池领域推广应用。

主权项

一种硅料清洗工艺，其特征在于包括以下步骤：A、将需要清洗的硅料放入离心设备中；B、启动离心设备使硅料旋转，在硅料旋转的过程中，向离心设备内注入纯水对硅料进行清洗，所述清洗时间为80‑120秒，在清洗过程中，所述离心设备的转速为280‑300转/分钟，清洗完毕后，停止向硅料喷洒纯水，调整离心设备的转速至305‑330转/分钟进行甩干处理，在甩干过程中向硅料通入温度为60‑120度的惰性气体，甩干时间为1400‑1800秒；C、将甩干的硅料密封保存。