[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410697284.4 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105702680B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 徐烨锋;闫江;陈邦明;唐兆云;唐波;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，叠层间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分别形成第一绝缘层和隔离；在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层，以形成空腔；填充空腔及刻蚀孔，以分别形成第二绝缘层及绝缘孔；进行器件的后续加工。该方法形成了具有埋层的衬底，实现类SOI器件的结构，同时，埋层的厚度可以通过形成的第一半导体层的厚度来调节，满足不同器件的需求，工艺简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，平面上各个叠层之间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分别形成第一绝缘层和隔离；在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层，以形成空腔；填充空腔及刻蚀孔，以分别形成第二绝缘层及绝缘孔；进行器件的后续加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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