[发明专利]一种金属线压焊异常的样品处理方法

摘要

本发明公开了一种金属线压焊异常样品的处理方法，应用于半导体芯片测试结构样品中，半导体测试结构样品包括一封装底座和一芯片，其中，方法包括步骤S1在一金属线压焊异常的半导体测试结构样品中移除用于连接芯片上的金属垫和封装底座上的键合垫的金属线；步骤S2采用检测探针测试任意两个焊球异常的金属垫之间的阻值；步骤S3通过激光器轰击金属垫至芯片的其它金属层；步骤S4使用检测探针测试阻值，判断金属垫与其它金属层是否断开；步骤S5对样品进行重新压焊。本方法能够避免芯片测试结构金属线压焊异常，如焊球过大或偏移，导致的金属垫间的短路，利于稳定后续测试的工艺环境。

主权项

一种金属线压焊异常样品的处理方法，应用于半导体芯片测试结构样品中，所述半导体测试结构样品包括一封装底座和一芯片，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：在一金属线压焊异常的半导体测试结构样品中移除用于连接所述芯片上的金属垫和所述封装底座上的键合垫的金属线，以使所述封装底座和所述芯片之间电性分离；步骤S2：采用检测探针测试任意两个焊球异常的金属垫之间的阻值，通过所述阻值判断所述金属垫之间是否短路，如短路则执行下一个步骤S3；步骤S3：通过激光器轰击所述金属垫至所述芯片的其它金属层；步骤S4：使用所述检测探针测试阻值，判断所述金属垫与所述其它金属层是否断开，若未断开则重复执行步骤S3直至所述金属垫与所述其它金属层断开，若断开则执行下一个步骤S5；步骤S5：对所述样品进行重新压焊。