[发明专利]一种监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法在审
| 申请号： | 201410697355.0 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104465440A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明;肖天金;余德钦 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，该方法为：提供一硅衬底；制备一栅氧化膜形成于所述硅衬底的生长区域；在预设时刻停止制备所述栅氧化膜；扫描所述硅衬底，对在所述硅衬底上形成栅氧化膜的区域和未形成栅氧化膜的区域进行定位；对形成栅氧化膜的区域与未形成栅氧化膜的区域进行切片分析，以获取所述栅氧化膜是否存在生长缺陷的监测结果。本发明采用明场扫描将未生长栅氧化膜的区域与正常生长栅氧化膜的区域利用高度差区分出来，再进行透射电子显微镜的切片分析，从而获取栅氧化膜是否存在生长缺陷的监测结果。采用本发明所述监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法可有效缩短生长缺陷发现周期，从而提高器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 原位 水汽 生长 氧化 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，其特征在于，包括下述步骤：提供一硅衬底；制备一栅氧化膜形成于所述硅衬底的生长区域；在预设时刻停止制备所述栅氧化膜；扫描所述硅衬底，对在所述硅衬底上形成栅氧化膜的区域和未形成栅氧化膜的区域进行定位；对形成栅氧化膜的区域与未形成栅氧化膜的区域进行切片分析，以获取所述栅氧化膜是否存在生长缺陷的监测结果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
