[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410698552.4 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105702618B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 徐烨锋;闫江;陈邦明;唐兆云;唐波;许静;李春龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，叠层间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分别形成第一绝缘层和隔离；在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔的内表面上分别形成背栅介质层和第二绝缘层，并分别以导体层和连接层填充空腔及刻蚀孔，以分别形成背栅及连接孔；进行器件的后续加工。本发明的方法，实现了带背栅结构的类SOI器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，平面上各个叠层之间为隔离沟槽；从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；填充开口及隔离沟槽，以分别形成第一绝缘层和隔离；在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔的内表面上分别形成背栅介质层和第二绝缘层，并分别以导体层和连接层填充空腔及刻蚀孔，以分别形成背栅及连接孔；进行器件的后续加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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