[发明专利]一种大面积厚GEM的制作工艺有效
| 申请号： | 201410704645.3 | 申请日： | 2014-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104465266A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 谢宇广;吴军权;吕军光;陈春;武守坤;林映生;唐宏华 | 申请（专利权）人： | 惠州市金百泽电路科技有限公司;中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | H01J9/00 | 分类号： | H01J9/00;H01J47/00 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 童海霓;刘彦 |
| 地址： | 516081 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积厚GEM的制作工艺，包括阻焊层覆盖、激光开窗、绝缘环加工、通孔成型和阻焊层消褪处理等步骤，采用激光钻孔方式，激光钻孔开窗和激光钻孔通孔成型的双重定位技术进行厚GEM的加工。本发明大面积厚GEM的制作工艺具有成本低、加工精度高和生产效率高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 gem 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种大面积厚GEM的制作工艺，其特征在于包括以下步骤：第一步、阻焊层覆盖，对基板进行双面绿油印制，在基板的双面覆盖阻焊层；第二步、激光开窗，根据大面积厚GEM的分布要求，在第一步所得的覆盖有阻焊层的基板上采用激光对孔环位进行阻焊开窗，形成通孔的激光窗位第三步、绝缘环加工，把第二步所得激光开窗处理后的基板先采用等离子清洗工艺去除激光开窗后残余铜面的保护膜，然后侧蚀方式精确蚀刻绝缘环，完成激光窗位的二次蚀刻规整限位。
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