[发明专利]一种高介电常数聚酰亚胺/多壁碳纳米管薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410704996.4 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN104448312A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 田国峰;孙一依;王俊莉;刘京妮;齐胜利;牛鸿庆;韩恩林;武德珍 申请(专利权)人: 北京化工大学常州先进材料研究院
主分类号: C08G73/10 分类号: C08G73/10;C08K7/24;C08J5/18;C08L79/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213164 江苏省常州市武进区常武中路18号*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种介电性能突出的分散多壁碳纳米管的聚酰亚胺薄膜及其制备方法,属于功能性高分子材料领域。在二元酐与二元胺缩聚并由三乙胺络合羧基而成的聚酰胺酸盐溶液中加入一定比例的多壁碳纳米管水分散液,使碳管在基体中构成微电容极板从而提高聚合物的介电性能。其中,多壁碳纳米管的体积分数为0.1%~20%。本制备方法主要包含以下三步:(1)聚酰胺酸的合成与成盐;(2)多壁碳管与聚酰胺酸盐的溶液共混;(3)聚酰胺酸的热环化。本发明的方法所制得聚酰亚胺复合膜在尽可能保留聚合物原有强度韧性的同时极大地提高了其介电常数,而介电损耗较基体相比只有轻微的增加,因而在电气电子行业的材料领域有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 介电常数 聚酰亚胺 多壁碳 纳米 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种聚酰亚胺/多壁碳纳米管复合薄膜,该复合膜是由多壁碳纳米管分散于聚酰亚胺基体中得来,其中多壁碳纳米管体积分数为0.1%~20.0%,复合膜厚度为20至150微米,材料在100Hz下的介电常数为3~300,介电损耗角正切值为0.001~1.5。
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