[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410705030.2 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752507B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | V·S·巴斯克;刘作光;山下典洪;叶俊呈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：衬底，其沿着第一方向延伸以限定衬底长度，并沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸以限定衬底宽度。第一半导体鳍形成于所述衬底的上表面上。所述第一半导体鳍沿着所述第二方向延伸第一距离以限定第一鳍宽度。第一栅极沟道形成于在所述衬底中形成的第一源/漏结与在所述第一半导体鳍中形成的第二源/漏结之间。第一栅极叠层形成于所述第一栅极沟道的侧壁上。第一间隔物被设置在所述第一栅极叠层与所述第一源/漏结之间。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 半导体鳍 方向延伸 漏结 栅极叠层 栅极沟道 方向垂直 间隔物 上表面 侧壁 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，其沿着第一方向延伸以限定衬底长度，并沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸以限定衬底宽度；第一半导体鳍，其形成于所述衬底的上表面上，所述第一半导体鳍沿着所述第二方向延伸第一距离以限定第一鳍宽度；第一栅极沟道，其形成于在所述衬底中形成的第一源/漏结与在所述第一半导体鳍中形成的第二源/漏结之间；第一栅极叠层，其形成于所述第一栅极沟道的侧壁上；第一间隔物，其被设置在所述第一栅极叠层与所述第一源/漏结之间；以及第二半导体鳍，其形成于所述衬底的所述上表面上，所述第二半导体鳍沿着所述第二方向延伸不同于所述第一距离的第二距离以控制所述半导体器件的驱动电流流动，所述第二方向平行于所述衬底的所述上表面。
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