[发明专利]掺杂方法

摘要

本发明公开了一种掺杂方法，包括：在第一导电类型衬底的背面注入第一导电类型离子以形成第一导电类型注入层；通过热扩散工艺在该第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层，并且扩散过程中在该第一导电类型掺杂层和该第一导电类型注入层上分别形成氧化层，并且在热扩散过程中修复离子注入的损伤、激活掺杂离子和热推进；蚀刻背面的预定区域直至暴露出该第一导电类型衬底；在与该预定区域相对应的衬底中形成第二导电类型掺杂区域。本发明充分利用了离子注入和扩散掺杂的工艺特点，先采用离子注入形成背场再通过扩散法形成前场，两道工艺即能实现四种效果，具有极高的工艺连贯性。

主权项

一种掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1：在一第一导电类型衬底的背面注入第一导电类型离子以形成第一导电类型注入层；S2：通过热扩散工艺在该第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层，并且扩散过程中在该第一导电类型掺杂层和该第一导电类型注入层上分别形成氧化层，并且在热扩散过程中完成离子注入的损伤修复、激活和推进；S3：蚀刻该第一导电类型衬底背面的预定区域直至暴露出该第一导电类型衬底；S4：在与该预定区域相对应的第一导电类型衬底中形成第二导电类型掺杂区域。