[发明专利]一种微结构绒面多晶硅太阳能电池制作工艺

摘要

本发明涉及一种微结构绒面多晶硅太阳能电池制作工艺，包括对制绒前的硅片进行预清洗；将清洗后的硅片利用腐蚀液进行腐蚀制绒；进一步表面腐蚀制绒后的硅片进行表面处理；之后对硅片表面残余的液体进行中和清洗；最后进行烘干，即可得到微结构绒面的硅片。将制得的微结构绒面硅片进行扩散、去PSG、减反射膜制备以及上下电极的制备即可得到微结构绒面的太阳能电池。本发明的有益效果是，首先制绒前对硅片进行预处理，有助于去除硅片切割后表面残留的杂质等，有助于更好的形成绒面；其次在使用化学药液腐蚀形成绒面的工序中加入了异丙醇等化学物质，有助于调节绒面形成过程，从而确保绒面的大小均匀，且制得的绒面深度较深，具有更好的陷光效果，采用此方法形成的绒面的反射率较常规方法低20%。

主权项

一种微结构绒面多晶硅太阳能电池制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：⑴采用H₂O₂与水的混合溶液对制绒前的硅片进行预清洗；⑵将清洗后的硅片利用硝酸、氢氟酸、异丙醇及水混合的腐蚀液进行腐蚀制绒，反应温度为3～20℃，反应时间为2～10min，所述腐蚀液中硝酸的质量百分比为5%～60%，氢氟酸的质量百分比为4%～50%，异丙醇的质量百分比为5%～40%，余量为水；⑶表面腐蚀制绒后的硅片通过氢氧化钠与水混合的表面处理液进行表面处理；⑷对硅片表面残余的液体进行中和清洗，随后进行烘干，即可得到微结构绒面的硅片；⑸将制得的微结构绒面硅片进行扩散处理，扩散采用三氯氧磷作为扩散源，反应温度为700～900℃，气体浓度为100～1000sccm，反应时间为30～100min；⑹将上述制得的微结构硅片进行去PSG处理，采用氢氟酸与水的混合溶液进行处理，混合溶液中氢氟酸的质量百分比为4%～50%，反应温度为5～20℃，反应时间为2～10min；⑺在去除PSG的微结构绒面硅片上制备减反射膜；⑻在硅片上安装上下电极即可得到微结构绒面的太阳能电池。