[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410707178.X | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105702725B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;罗军;赵超;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括在衬底上沿第一方向延伸分布的多个鳍片结构、横跨多个鳍片结构沿第二方向延伸分布的栅极堆叠结构、在栅极堆叠结构沿第一方向两侧的源漏区，其中，衬底与多个鳍片结构之间界面处具有多孔结构。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过电化学刻蚀工艺在衬底表面形成多孔结构之后再外延生长鳍片结构，通过填充了外延层的多孔结构吸收一部分失配应变以允许上部鳍片结构弛豫，提高FinFET器件高迁移率材料的鳍片结构与衬底之间界面的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括在衬底上沿第一方向延伸分布的多个鳍片结构、横跨多个鳍片结构沿第二方向延伸分布的栅极堆叠结构、在栅极堆叠结构沿第一方向两侧的源漏区，其中，衬底与多个鳍片结构之间界面处具有多孔结构，多个鳍片结构由外延生长得到，并且外延层填充多孔结构的多个微孔隙。
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