[发明专利]套准标记及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410707589.9 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN105702662B 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 邓国贵;赵简;林益世 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 高静;骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种套准标记及其形成方法,套准标记的形成方法包括:提供衬底,在衬底的标记区中形成多个条形浅沟槽隔离结构,多个条形浅沟槽隔离结构之间的衬底用于组成第一光栅,在衬底的标记区上形成多个栅条,栅条位于相邻两个条形浅沟槽隔离结构之间的衬底上方,在多个栅条之间形成间隔层,多个栅条组成第二光栅。第一光栅在衬底平面上的位置和形状与第二光栅的位置相同、形状相似,光通过第二光栅和第一光栅之后,形成第一衍射波形和第二衍射波形能够发生干涉形成干涉光,干涉光的振幅更大,光强更强,使光学检测设备容易探测到干涉光的波形,并更准确获得反应第二光栅位置的信息,对套准标记测试得到第二光栅位置结果更加精确。
搜索关键词: 标记 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种套准标记的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括标记区;在所述标记区的衬底中形成多个条形浅沟槽隔离结构,所述多个条形浅沟槽隔离结构之间的衬底用于组成第一光栅,所述多个条形浅沟槽隔离结构作为第一光栅的狭缝;在所述标记区的衬底上形成多个栅条,所述栅条位于相邻两个条形浅沟槽隔离结构之间的衬底上方,在所述多个栅条之间形成间隔层,所述间隔层位于条形浅沟槽隔离结构上方,所述多个栅条组成第二光栅,所述多个栅条之间的间隔层作为第二光栅的狭缝。
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