[发明专利]基于一读一写存储器的多读多写存储器及其实现方法在审
| 申请号： | 201410707938.7 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104484128A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 许俊;夏杰;段光生 | 申请（专利权）人： | 盛科网络（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 安纪平 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种基于一读一写存储器的多读多写存储器及其实现方法。多读多写存储器包括n个一读m写存储器单元、状态存储单元、控制逻辑、m个写端口和n各读端口，n和m均为大于等于0的整数，每个一读m写存储器单元内有m个一读一写存储器。写端口有写操作时，其将数据同时写到每个一读m写存储器单元内的其中一个一读一写存储器内；状态存储单元用于记录每个一读一写存储器内数据的存储状态；控制逻辑用于控制读端口根据其读地址从一读一写存储器内读取数据的方式。本发明相比现有基于小容量nRmW存储器实现的大容量nRmW存储器，可以大大减小芯片的面积，降低芯片的功耗，改善芯片的时序，进而提高其整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 一读一写 存储器 多读多写 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种基于一读一写存储器的多读多写存储器，其特征在于：包括n个一读m写存储器单元、状态存储单元和控制逻辑，n和m均为大于等于0的整数，每个所述一读m写存储器单元内有m个一读一写存储器，所述多读多写存储器外部具有m个写端口和n个读端口，所述写端口有写操作时，其写数据同时写到每个所述一读m写存储器单元内的其中一个所述一读一写存储器内；所述状态存储单元用于记录每个所述一读一写存储器内数据的存储状态；所述控制逻辑用于控制所述读端口从所述多读多写存储器内读取数据的方式。
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