[发明专利]进气装置及半导体加工设备有效
申请号: | 201410709297.9 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN105695957B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 田成益;刘海鹰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/02;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种进气装置及半导体加工设备。该进气装置用于向反应腔室内输送工艺气体,进气装置包括装置本体和一个或多个进气管,装置本体内设置有未贯穿其下表面的主进气通道,主进气通道与工艺气源相连通;每个进气管的进气端贯穿装置本体的侧壁与主进气通道相连通,每个进气管朝向装置本体侧壁外侧延伸,且其出气端远离装置本体,以使工艺气源提供的工艺气体自主进气通道和进气管输送至反应腔室内。本发明提供的进气装置和半导体加工设备,其可以解决反应腔室内气体分布不均匀的问题,从而可以提高衬底的工艺均匀性和工艺质量。 | ||
搜索关键词: | 装置 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种进气装置,用于向反应腔室内输送工艺气体,其特征在于,所述进气装置包括装置本体和一个或多个进气管,所述装置本体内设置有未贯穿其下表面的主进气通道,所述主进气通道与工艺气源相连通;每个所述进气管的进气端贯穿所述装置本体的侧壁与所述主进气通道相连通,每个所述进气管朝向所述装置本体侧壁外侧延伸,且每个所述进气管的出气端远离所述装置本体,所述工艺气源提供的工艺气体自所述主进气通道和所述进气管输送至反应腔室内,以使所述反应腔室内的工艺气体趋于均匀;所述进气管的出气端沿水平方向延伸。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的