[发明专利]一种高压芯片LED结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种高压芯片LED结构及其制作方法，通过在N型半导体层上设置接触层保护N型半导体层，使其免受刻蚀等离子体损伤的影响，解决了高压芯片的电压问题；并且，在接触层形成之前，同步形成了阻挡层、腐蚀辅助层和侧壁过度保护层，在解决了LED芯片光型的同时，提高了LED芯片的可靠性和抗击穿能力。其次，通过动态刻蚀工艺形成隔离槽，解决了常规刻蚀工艺刻蚀均匀性不足导致芯片因短路而失效的问题。再次，在形成最终的钝化保护膜之前，对高压LED芯片的表面及侧壁进行等离子体处理，解决了高压LED芯片开启电压的问题。

主权项

一种高压芯片LED结构制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成发光半导体层，所述发光半导体层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；刻蚀所述发光半导体层形成若干阶梯型通孔，所述阶梯型通孔包括凹槽以及与所述凹槽连通的隔离槽，所述凹槽暴露所述N型半导体层的表面，所述隔离槽暴露所述衬底的表面，所述凹槽的截面宽度大于所述隔离槽的截面宽度，所述阶梯型通孔将发光半导体层分割成若干分离的独立发光半导体层；在所述P型半导体层以及阶梯型通孔的内壁上形成绝缘薄膜，并刻蚀所述绝缘薄膜同步形成阻挡层、腐蚀辅助层和侧壁过度保护层，所述阻挡层以及腐蚀辅助层均位于所述P型半导体层上且所述腐蚀辅助层呈环状包围所述阻挡层，所述侧壁过度保护层覆盖所述凹槽的侧壁以及隔离槽的侧壁及底壁并与所述腐蚀辅助层连接；在所述P型半导体层、N型半导体层、阻挡层、腐蚀辅助层和侧壁过度保护层上形成接触薄膜，刻蚀去除所述腐蚀辅助层和侧壁过度保护层上的接触薄膜形成接触层；刻蚀去除所述腐蚀辅助层和侧壁过度保护层；在每个独立发光半导体层的隔离槽内填充隔离层；在每个独立发光半导体层的阻挡层上方的接触层上形成第一电极，在每个独立发光半导体层的阶梯型通孔内的接触层上形成第二电极，并将部分相邻的独立发光半导体层的第二电极和第一电极电连接形成串联结构；在所述独立发光半导体层所有暴露的表面上形成钝化保护层，所述钝化保护层具有暴露所述串联结构中为首的独立发光半导体层上的第一电极和为尾的独立发光半导体层上的第二电极的引线孔。