[发明专利]制造显示装置的方法有效
| 申请号： | 201410710633.1 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104681747B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 权石一;金得钟 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造显示装置的方法。所述方法包括：设置基底；在基底上形成半导体层；在半导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成金属层；在金属层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成蚀刻缓冲层；在蚀刻缓冲层上形成感光膜图案；蚀刻蚀刻缓冲层以及第一绝缘层和第二绝缘层以暴露半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 显示装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：设置基底；在基底上形成半导体层；在半导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成金属层；在金属层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成蚀刻缓冲层；在蚀刻缓冲层上形成感光膜图案；蚀刻蚀刻缓冲层以及第一绝缘层和第二绝缘层以暴露半导体层；以及去除蚀刻缓冲层，其中，蚀刻步骤包括：第一蚀刻，蚀刻蚀刻缓冲层以暴露第二绝缘层；第二蚀刻，在暴露第二绝缘层之后，蚀刻第一绝缘层和第二绝缘层以暴露半导体层，其中，在执行第二蚀刻之前第二绝缘层的被暴露的宽度与在执行第二蚀刻之后半导体层的被暴露的宽度相同。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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