[发明专利]基板处理装置及方法在审
| 申请号： | 201410710702.9 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104934347A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 金泰勋 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 姜燕;王卫忠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置及方法。基板处理装置具有工序处理腔室、空气排出腔室、装载互锁腔室、及排气单元等。空气排出腔室以比工序处理腔室中的减压速度更慢的速度减压来排出处理对象物内的空气，从而防止基板的扭曲(Warpage)现象。空气排出腔室一次对多个处理对象物进行空气排出处理，从而能够缩短工序时间。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，包括：索引模块；以及处理模块；且所述索引模块具有：加载埠，在该加载埠上放置容纳有处理对象物的容器；以及框架，该框架配置在所述容器与所述处理模块之间搬送所述处理对象物的索引机器人；所述处理模块具有：工序处理腔室，该工序处理腔室以电浆处理所述处理对象物；以及空气排出腔室，该空气排出腔室对所述处理对象物内的空气进行排出处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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