[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201410711179.1 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105720104B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张心怡;陈滢璟;曾宪宗;陈珊芳 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制作方法。本发明的薄膜晶体管基板，其包括一基底、设置于该基底上的一栅极、覆盖该栅极及该基板的一栅极绝缘层、设置于该栅极绝缘层上且对应于该栅极上方的一有源层、一蚀刻阻挡层、位于该蚀刻阻挡层上的一源极与一漏极及覆盖该薄膜晶体管的一钝化层，该蚀刻阻挡层覆盖该有源层及该栅极绝缘层。本发明的薄膜晶体管，位于该有源层上方的该蚀刻阻挡层的厚度小于该蚀刻阻挡层其它位置的厚度，这样可以降低薄膜晶体管基板的地形高度并减少破膜的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，其包括基底、设置于该基底上的栅极、覆盖该栅极及该基板的栅极绝缘层、设置于该栅极绝缘层上且对应于该栅极上方的有源层、蚀刻阻挡层、位于该蚀刻阻挡层上的源极与漏极、及覆盖该薄膜晶体管的一钝化层，该蚀刻阻挡层覆盖该有源层及该栅极绝缘层，其特征在于，该蚀刻阻挡层包括第一部分及第二部分，该第一部分位于该有源层的上方并完全覆盖该有源层，该第二部分位于该第一部分的至少一侧，并设置于该栅极绝缘层上，该第一部分及该第二部分的分界为该蚀刻阻挡层沿该有源层的边缘向下开始弯折处，且该第二部分的最高点与该第一部分的最高点处于同一水平线上，该第一部分的厚度小于该第二部分的厚度。
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