[发明专利]具有点接触结构的太阳电池器件结构及其制备方法有效
申请号: | 201410712128.0 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104393066A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 包健 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有点接触结构的太阳电池器件结构及其制备方法,具有点接触结构的太阳电池器件结构具有衬底、发射极和背电极,发射极与衬底之间以点接触结构构成欧姆连接,发射极的其余部分和衬底之间设置有本征非晶硅层,背电极与衬底之间也以点接触结构构成欧姆连接,背电极的其余部分与衬底之间也设置有本征非晶硅层。本发明能够保持具有较好钝化效果的前提下,降低串联电阻,提髙电池的填充因子,从而增加太阳电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 点接触 结构 太阳电池 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有点接触结构的太阳电池器件结构,其特征在于,它具有衬底(1)、发射极(2)和背电极(3),发射极(2)与衬底(1)之间以点接触结构构成欧姆连接,发射极(2)的其余部分和衬底(1)之间设置有本征非晶硅层(4),背电极(3)与衬底(1)之间也以点接触结构构成欧姆连接,背电极(3)的其余部分与衬底(1)之间也设置有本征非晶硅层(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的