[发明专利]一种抗单粒子翻转的SR锁存器在审

专利信息
申请号: 201410713200.1 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN104393864A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 张国和;段国栋;曾云霖 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/094
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种抗单粒子翻转的SR锁存器,包括第一信号输出端口、第二信号输出端口、电源、第一存储节点、第二存储节点、第一信号输入端口、第二信号输入端口、第三信号输入端口、第四信号输入端口、第一控制节点、第二控制节点、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管及第十NMOS管。本发明写入速度快,延迟短,符合抗辐射高速度集成电路的要求。
搜索关键词: 一种 粒子 翻转 sr 锁存器
【主权项】:
一种抗单粒子翻转的SR锁存器,其特征在于,包括电源(VDD)、第一信号输出端口、第二信号输出端口、第一存储节点(Q)、第二存储节点(QB)、第一信号输入端口(R)、第二信号输入端口(S)、第三信号输入端口(RB)、第四信号输入端口(SB)、第一控制节点(P)、第二控制节点(PB)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)及第十NMOS管(MN10);所述第一PMOS管(MP1)的漏极及栅极分别与第二控制节点(PB)及第一控制节点(P)相连接,第一PMOS管(MP1)的源极及衬底与电源(VDD)相连接;所述第二PMOS管(MP2)的漏极及栅极分别与第一控制节点(P)及第二控制节点(PB)相连接,第二PMOS管(MP2)的源极及衬底与电源(VDD)相连接;所述第三PMOS管(MP3)的栅极及漏极分别与第一信号输入端口(R)及第七PMOS管(MP7)的源极相连接,第三PMOS管(MP3)的源极及衬底与电源(VDD)相连接;所述第四PMOS管(MP4)的栅极及漏极分别与第二信号输入端口(S)及第八PMOS管(MP8)的源极相连接,第四PMOS管(MP4)的源极及衬底与电源(VDD)相连接;所述第五PMOS管(MP5)的栅极及漏极分别与第四信号输入端口(SB)及第一存储节点(Q)相连接,第五PMOS管(MP5)的源极及衬底与电源(VDD)相连接;所述第六PMOS管(MP6)的栅极及漏极分别与第三信号输入端口(RB)及第二存储节点(QB)相连接,第六PMOS管(MP6)的源极及衬底与电源(VDD)相连接;所述第七PMOS管(MP7)的栅极及漏极分别与第二控制节点(PB)及第一存储节点(Q)相连接,第七PMOS管(MP7)的衬底与电源(VDD)相连接;所述第八PMOS管(MP8)的栅极及漏极分别与第一控制节点(P)及第二存储节点(QB)相连接,第八PMOS管(MP8)的衬底与电源(VDD)相连接;所述第一NMOS管(MN1)的栅极及漏极分别与第四信号输入端口(SB)及第五NMOS管(MN5)的源极相连接,第一NMOS管(MN1)的源极及衬底均接地;所述第二NMOS管(MN2)的栅极及漏极分别与第三信号输入端口(RB)及第六NMOS管(MN6)的源极相连接,第二NMOS管(MN2)的源极及衬底均接地;所述第三NMOS管(MN3)的栅极及漏极分别与第一信号输入端口(R)及第一存储节点(Q)相连接,第三NMOS管(MN3)的源极及衬底均接地;所述第四NMOS管(MN4)的栅极及漏极分别与第二信号输入端口(S)及第二存储节点(QB)相连接,第四NMOS管(MN4)的源极及衬底均接地;所述第五NMOS管(MN5)的栅极及漏极分别与第二存储节点(QB)及第一存储节点(Q)相连接,第五NMOS管(MN5)的衬底接地;所述第六NMOS管(MN6)的栅极及漏极分别与第一存储节点(Q)及第二存储节点(QB)相连接,第六NMOS管(MN6)的衬底接地;所述第七NMOS管(MN7)的栅极及漏极分别与第二信号输入端口(S)及第二控制节点(PB)相连接,第七NMOS管(MN7)的源极及衬底均接地;所述第八NMOS管(MN8)的栅极及漏极分别与第一存储节点(Q)及第二控制节点(PB)相连接,第八NMOS管(MN8)的源极及衬底均接地;所述第九NMOS管(MN9)的栅极及漏极分别与第二存储节点(QB)及第一控制节点(P)相连接,第九NMOS管(MN9)的源极及衬底均接地;所述第十NMOS管(MN10)的栅极及漏极分别与第一信号输入端口(R)及第一控制节点(P)相连接,第十NMOS管(MN10)的源极及衬底均接地;所述第一信号输出端口与第一存储节点(Q)相连接,第二信号输出端口与第二存储节点(QB)相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410713200.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top