[发明专利]一种制备Si3N4/BAS泡沫陶瓷材料的方法有效
| 申请号： | 201410715209.6 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104496521A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 余娟丽;王涛;吕毅;赵英民;郭世峰;裴雨辰 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B38/02 | 分类号： | C04B38/02;C04B35/584;C04B35/624 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 100074北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种制备Si3N4/BAS泡沫陶瓷材料的方法，以硅溶胶作为配制浆料的液相，并加入氮化硅粉、氧化钡粉、氧化铝粉以及少量分散剂和粘结剂，其中氧化钡、氧化铝的加入量以硅溶胶中二氧化硅的质量为基准，按照化学计量比BaO-Al2O3-2SiO2添加配制浆料；采用机械搅拌起泡，通过低温冷冻硅溶胶发生凝胶化反应实现陶瓷泡沫的快速固化成型，制备Si3N4/BAS泡沫陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 si3n4 bas 泡沫 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制备Si3N4/BAS泡沫陶瓷材料的方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，配制混合浆料，以硅溶胶为液相，加入氮化硅粉、氧化钡粉和氧化铝粉，氧化钡粉和氧化铝粉的添加量以硅溶胶中的二氧化硅的质量为基准，按照BaO‑Al2O3‑2SiO2化学计量比加入，氮化硅粉质量占混合浆料中固相总质量的80～90％，混合浆料中固相总质量指氮化硅粉、氧化钡粉、氧化铝粉和硅溶胶中二氧化硅的总质量，混合浆料中总的固相含量为45％～65％；第二步，混合浆料球磨，得到混合均匀的浆料；第三步，在浆料中加入发泡剂，机械搅拌发泡，得到泡沫浆料；第四步，低温凝胶固化，泡沫浆料注入模具，在低温下使泡沫浆料充分固化成型，脱模，得到泡沫陶瓷坯体；第五步，泡沫陶瓷坯体干燥，烧结，得到Si3N4/BAS泡沫陶瓷材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天特种材料及工艺技术研究所;，未经航天特种材料及工艺技术研究所;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410715209.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种复合发泡水泥板的配方
- 下一篇：一种炭/炭复合材料的制备方法
- 用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法
- 表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法
- 一种多孔Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>基体表面覆涂h-BN涂层的方法
- 一种表面改性纳米Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>粉体及其用途
- 低泄漏GaN MOSFET
- Ni金属膜覆盖Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>衬底生长浓度可控石墨烯材料的方法
- 具有Al‑Si3N4‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管
- 一种Si3N4基复合陶瓷及其制备方法
- 一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法
- 纳米非晶原位合成氮化硅晶须
