[发明专利]一种降低陶瓷氧化物光学薄膜折射率的方法有效
| 申请号： | 201410719558.5 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104483720A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 季一勤;刘华松;姜玉刚;刘丹丹;王利栓;姜承慧 | 申请（专利权）人： | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘东升 |
| 地址： | 300308 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于光学薄膜折射率调节技术领域，具体涉及一种降低陶瓷氧化物光学薄膜折射率的方法。本发明通过使用热等向压力作用的方法，实现对光学薄膜折射率减低方向的调整。该方法采用热等静压对光学薄膜进行后处理折射率改性，尤其是针对降低氧化物陶瓷光学薄膜材料的折射率。此方法新颖、操作可行，能够有效实现降低氧化物陶瓷光学薄膜材料的折射率。通过实施上述方法，可以方便有效地降低陶瓷氧化物薄膜的折射率，而且通过对薄膜横向等向加压和加温，保证薄膜折射率调控的横向均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 陶瓷 氧化物 光学薄膜 折射率 方法 | ||
【主权项】：
一种降低陶瓷氧化物光学薄膜折射率的方法，其特征在于，其包括如下步骤：步骤S1：将制备好的陶瓷氧化物薄膜放置在培养皿中；步骤S2：对热等静压的设备内腔进行清理，防止培养皿与薄膜受到污染；步骤S3：将培养皿放置在加热体的支架上，保证将培养皿放置在中间位置；步骤S4：关闭真空腔，检查真空密封性，抽取真空到1～50Pa；步骤S5：向真空室内充入氩气，保证压力20～100Mpa；步骤S6：设置热等静压的工艺参数，温度为200～600℃、升温速率为5℃/min、处理时间为8～24h；步骤S7：热等静压处理完成后，卸载压力与温度，自然降温到室温，取出样品；步骤S8：用椭圆偏振仪测量陶瓷氧化物薄膜的折射率。
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