[发明专利]一种高反射光学介质薄膜反射相移的修正方法

摘要

本发明涉及高反射光学介质薄膜的性能修正技术领域，具体涉及一种高反射光学介质薄膜反射相移的修正方法。本发明通过对高反射光学介质薄膜膜系结构的保护膜层物理厚度进行修正，实现对高反射光学介质薄膜反射相移修正的目的。本发明分别针对反射相移的正方向补偿和负方向补偿，其通过使用离子束刻蚀方法对保护膜的减薄，实现反射相移的负方向补偿，使用离子束溅射沉积技术对保护膜增厚，实现反射相移的正方向补偿。通过上述实施方案，可实现高反射光学介质薄膜反射相移的正向或反向修正，满足对相移指标的特定要求，而且在相移修正过程中不会对高反射光学介质薄膜的表面造成任何损伤。

主权项

一种高反射光学介质薄膜反射相移的修正方法，其特征在于，所述修正方法包括如下步骤：步骤S1：设置离子源溅射薄膜的参数，参数设置范围包括：离子束溅射电压1000V～1300V、离子束溅射电流500mA～800mA、中和器发射电流600mA～1000mA，氧气流量10sccm～40sccm；步骤S2：利用上述的参数完成高反射光学介质薄膜的基本膜系‘基底/(HL)^mH 2L/空气’的制备，完成后利用椭圆偏振仪测量反射相移δ(°)；步骤S3：假设设计要求的反射相移为δ₀，计算需要修正的相移量Δ＝δ‑δ₀；步骤S4：当Δ>0时，利用离子束溅射沉积参数，再分别沉积保护膜T1、T2、…、Tn秒，其中n为≥1的正整数，利用椭圆偏振仪测量不同时间下反射相移分别为δ1、δ2、…、δn，其中n为≥1的正整数，则相应时间下相移的正向修正量分别为δ1－δ0、δ2－δ0、…、δn－δ0，其中n为≥1的正整数，利用最小二乘法拟合计算出正向修正速率xx；当Δ<0时，设置刻蚀离子源溅射的参数，参数设置范围包括：离子束溅射电压800V～1000V、离子束溅射电流100mA～300mA、中和器发射电流100mA～400mA，氧气流量10sccm～40sccm；利用该参数分别对保护膜进行刻蚀T1’、T2’、…、Tn’秒，其中n为≥1的正整数，利用椭圆偏振仪测量不同刻蚀时间下反射相移分别为δ1’、δ2’、…、δn’，其中n为≥1的正整数，则相应时间下相移的反向修正量分别为δ0－δ1’、δ0－δ2’、…、δ0－δn’，其中n为≥1的正整数，利用最小二乘法拟合计算出正向修正速率yy；步骤S5：若待修正高反膜的反射相移为δ’，要求值为δ0时，相移修正量为Δ＝∣δ’‑δ0∣，则正向修正时间为x＝Δ/xx，反向修正时间为y＝Δ/yy；由此实现对高反射光学介质薄膜反射相移正向和反向的修正。