[发明专利]金属氧化物薄膜的生产方法及薄膜晶体管基板的生产方法有效

专利信息
申请号: 201410720971.3 申请日: 2014-12-02
公开(公告)号: CN104392966A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 赵国 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/336
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;陈伟
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种金属氧化物薄膜的生产方法,包括根据目标产品所需的不同膜质成分,使用两种以上不同成分比例的靶材,通过控制成膜速度和成膜时间,将所述靶材上的物质沉积在基板上,来得到含有不同的膜质成分的金属氧化物薄膜。本发明还提供了一种薄膜晶体管基板的生产方法以及由该方法生产的薄膜晶体管基板。
搜索关键词: 金属 氧化物 薄膜 生产 方法 薄膜晶体管
【主权项】:
一种金属氧化物薄膜的制备方法,包括根据目标产品所需的不同膜质成分,使用两种以上不同成分比例的靶材,通过控制成膜速度和成膜时间,将所述靶材上的物质沉积在基板上,来得到含有不同的膜质成分的金属氧化物薄膜。
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