[发明专利]金属氧化物薄膜的生产方法及薄膜晶体管基板的生产方法有效
| 申请号： | 201410720971.3 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104392966A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 赵国 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈伟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属氧化物薄膜的生产方法，包括根据目标产品所需的不同膜质成分，使用两种以上不同成分比例的靶材，通过控制成膜速度和成膜时间，将所述靶材上的物质沉积在基板上，来得到含有不同的膜质成分的金属氧化物薄膜。本发明还提供了一种薄膜晶体管基板的生产方法以及由该方法生产的薄膜晶体管基板。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜 生产 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜的制备方法，包括根据目标产品所需的不同膜质成分，使用两种以上不同成分比例的靶材，通过控制成膜速度和成膜时间，将所述靶材上的物质沉积在基板上，来得到含有不同的膜质成分的金属氧化物薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410720971.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
