[发明专利]制造用于封装件的基板的方法在审
申请号: | 201410721412.4 | 申请日: | 2014-12-02 |
公开(公告)号: | CN104779172A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 李昌普;洪大祚;洪明镐 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种制造用于封装件的基板的方法,该方法包括:在具有形成在其上的电极焊盘的未涂覆的基板上形成阻焊层以覆盖电极焊盘;通过将阻焊层划分为包括覆盖某些或全部的电极焊盘的第一区域和由第一区域之外的区域形成的第二区域的区域并曝光区域中的某一些来曝光某些区域;以及利用高能光显影包括曝光区域和未曝光区域的阻焊层,以便第一区域的剩余高度低于第二区域的剩余高度并且曝光第一区域中的电极焊盘的至少上表面。 | ||
搜索关键词: | 制造 用于 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种制造用于封装件的基板的方法,所述方法包括:在未涂覆的基板上形成阻焊层以覆盖电极焊盘,所述未涂覆的基板具有形成在其上的所述电极焊盘;通过将所述阻焊层划分成包括第一区域和第二区域的区域并且曝光所述区域中的某一些来曝光某些区域,其中,所述第一区域覆盖某些或全部的电极焊盘,并且所述第二区域形成在所述第一区域之外,以及;利用高能光来显影包括曝光区域和未曝光区域的所述阻焊层,以使得所述第一区域的剩余高度低于所述第二区域的剩余高度并且所述第一区域中的所述电极焊盘的至少上表面被曝光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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