[发明专利]一种冗余金属的填充方法及其系统有效
| 申请号： | 201410723722.X | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104376186B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 曹鹤;陈岚;孙艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 党丽,吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种冗余金属的填充方法，包括步骤提供具有金属层的集成电路版图；确定可填充区域；将可填充区域划分为矩形区域，矩形区域的边框由金属层的边界限定；根据临界间距尺寸，确定矩形区域是否需要填充；将需要填充的矩形区域进行冗余金属的填充。该方法使得需填充区域的确定更精确，并且矩形的区域更易于进行填充参数的调整和填充，有效解决CMP研磨工艺中的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冗余 金属 填充 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
一种冗余金属的填充方法，其特征在于，包括步骤：提供具有金属层的集成电路版图；通过设计规则先排除无需进行填充的区域，将剩下的区域作为可填充区域，可填充区域中无金属层的边界；将可填充区域划分为多个矩形区域，矩形区域的边框至少部分由金属层的边界限定，矩形区域内无金属层的边界；根据临界间距尺寸，确定矩形区域是否需要填充，其中，该临界间距尺寸根据已有的经验公式或者特定工艺条件下可能产生缺陷的间距尺寸来获得；将需要填充的矩形区域进行冗余金属的填充。
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