[发明专利]一种硅薄膜光热吸收体的制备方法

摘要

一种硅薄膜光热吸收体的制备方法，包括步骤如下在不锈钢衬底上采用PEMS工艺沉积第一三氧化二铬薄膜；在三氧化二铬薄膜层上采用PEMS工艺沉积银薄膜；在银薄膜层上采用PEMS工艺沉积第二三氧化二铬薄膜；在第二三氧化二铬薄膜上采用PEMS工艺制备多晶硅层，在多晶硅层上采用HTCVD方法依次制备微晶硅层、纳米硅层和非晶硅层，形成梯度微结构硅吸收层；在非晶硅层采用PEMS工艺沉积氮化硅薄膜，形成氮化硅抗反射层。本方法制备的硅薄膜光热吸收体，既具备良好的选择性吸收性能，同时具备耐热，耐腐蚀，耐磨损和耐候性能好，适宜于工业化连续生产的梯度微结构硅薄膜系列太阳能光热转换薄膜的膜系的制备。

主权项

一种硅薄膜光热吸收体的制备方法，其特征是，包括步骤如下：步骤1 在不锈钢衬底上采用PEMS工艺沉积第一三氧化二铬薄膜；步骤2在三氧化二铬薄膜层上采用PEMS工艺沉积银薄膜；步骤3在银薄膜上采用PEMS工艺沉积第二三氧化二铬薄膜；步骤4在第二三氧化二铬薄膜上采用PEMS工艺制备多晶硅层，在多晶硅层上采用HTCVD方法依次制备微晶硅层、纳米硅层和非晶硅层，形成梯度微结构硅吸收层；步骤5 在非晶硅层采用PEMS工艺沉积氮化硅薄膜，形成氮化硅抗反射层。