[发明专利]一种铝硅合金低倍晶粒度检测样品的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410725527.0 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN104458374A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 向南苗;杨志勇;帅芳;刘向阳 申请(专利权)人: 湖南江滨机器(集团)有限责任公司
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28;G01N1/32;G01N15/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 411100 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供了一种铝硅合金低倍晶粒度检测样品的制备方法,包括以下步骤:以稀氢氟酸溶液为络合腐蚀剂,络合腐蚀铝硅合金待测样品表面,所述稀氢氟酸溶液的体积浓度为30%~70%;以双氧水为第一氧化剂,对所述络合腐蚀后的铝硅合金待测样品表面进行第一氧化;以稀硝酸溶液为第二氧化剂,对所述第一氧化后的铝硅合金待测样品表面进行第二氧化,得到铝硅合金低倍晶粒度检测样品,所述稀硝酸溶液的体积浓度为5%~25%。本发明提供的方法能够清晰地显示出铸造共晶铝硅合金活塞样件的低倍晶粒度。
搜索关键词: 一种 合金 晶粒 检测 样品 制备 方法
【主权项】:
一种铝硅合金低倍晶粒度检测样品的制备方法,包括以下步骤:以稀氢氟酸溶液为络合腐蚀剂,络合腐蚀铝硅合金待测样品表面,所述稀氢氟酸溶液的体积浓度为30%~70%;以双氧水为第一氧化剂,对所述络合腐蚀后的铝硅合金待测样品表面进行第一氧化;以稀硝酸溶液为第二氧化剂,对所述第一氧化后的铝硅合金待测样品表面进行第二氧化,得到铝硅合金低倍晶粒度检测样品,所述稀硝酸溶液的体积浓度为5%~25%。
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