[发明专利]产生纳米结晶石墨的独立式薄膜方法在审
| 申请号： | 201410726248.6 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104701122A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | B.布伊斯塞;R.S.达内夫;K.S.萨德 | 申请（专利权）人： | FEI公司;马克斯·普朗克索赔科学公司 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;张懿 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种产生纳米结晶石墨的独立式薄膜的方法，该方法包括以下步骤：提供独立式非晶碳薄膜，在惰性气氛中或者在真空中将该独立式薄膜加热到高温；以及允许该独立式薄膜冷却；作为其结果，形成纳米结晶石墨的独立式薄膜。非晶碳的薄膜众所周知，并且被使用在例如在透射电子显微镜中的相位片中，或者作为样品载体（图5A）。缺点是膜暴露在电子束可以导致在膜中的电子改变，产生所谓脚印（504）。使用结晶石墨膜克服了该问题，但是通常以微米数量级的晶体的大小干扰高质量成像。因此，存在针对纳米结晶石墨碳膜的需要。本发明公开了如何制备这些膜，并且公开了这样的膜的某些用途。如在图5B中可见的那样，没有脚印出现。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 纳米 结晶 石墨 立式 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种用于产生纳米结晶石墨的独立式薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：· 提供非晶碳的独立式薄膜，· 在惰性气氛中或者在真空中，将该独立式薄膜局部地加热到高温；以及· 允许该独立式薄膜冷却；作为其结果，形成纳米结晶石墨的独立式薄膜。
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