[发明专利]一种冗余结构随机访问存储器在审

专利信息
申请号: 201410729870.2 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN104637530A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 潘立阳;洪新红;伍冬 申请(专利权)人: 清华大学;清华大学深圳研究生院
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种冗余结构随机访问存储器,包括:两个相同的存储单元阵列、一个数据写入电路和一个数据读出电路,其中,两个相同的存储单元阵列具有相同的阵列架构,并且阵列中相同地址处的存储单元具有相同的初始存储信息,其中,数据写入电路用于将同一个数据同时写入两个相同存储阵列中相同地址处的存储单元,其中,数据读出电路用于选中两个存储单元阵列中相同地址处的存储单元中的存储信息,当两个存储单元的存储信息不相同时,数据读出电路输出“0”,当两个存储单元的存储信息相同时,数据读出电路输出此相同的存储信息。本发明具有硬件面积小、复杂度小、数据存储稳定可靠等优点。
搜索关键词: 一种 冗余 结构 随机 访问 存储器
【主权项】:
一种冗余结构随机访问存储器,其特征在于,包括:两个相同的存储单元阵列、一个数据写入电路和一个数据读出电路,其中,所述两个相同的存储单元阵列具有相同的阵列架构,并且阵列中相同地址处的存储单元具有相同的初始存储信息,其中,所述数据写入电路用于将同一个数据同时写入所述两个相同存储阵列中相同地址处的存储单元,其中,所述数据读出电路用于选中所述两个存储单元阵列中相同地址处的存储单元中的存储信息,当所述两个存储单元的存储信息不相同时,所述数据读出电路输出“0”,当所述两个存储单元的存储信息相同时,所述数据读出电路输出此相同的存储信息。
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