[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410730162.0 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104916308B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 赵龙德 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括：写入控制块，其配置成产生用于控制写入操作的多个写入使能信号；以及写入延迟块，其配置成向经由写入全局输入/输出线传送的多个写入数据施加延迟时间。半导体器件还可以包括多个存储体，其配置成响应于多个写入使能信号而操作且接收多个写入数据，其中，所述多个写入数据根据所述多个存储体的物理位置而具有不同的延迟时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：写入控制块，其配置成产生用于控制写入操作的多个写入使能信号；写入延迟块，其配置成向经由写入全局输入/输出线传送的多个写入数据施加延迟时间；以及多个存储体，其配置成响应于所述多个写入使能信号进行操作且接收所述多个写入数据，其中，所述多个写入数据根据所述多个存储体的物理位置而具有不同的延迟时间。
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